ერთეულის #:
230595493
Gallium Nitride (GaN): Physics, Devices, and Technology
ერთეულის #:
230595493
GEL 497
Price Details
Excluding Shipping & Custom charges ( Shipping and custom charges will be calculated on checkout )
*All items will import from TR
Საწყობში
იმპორტირებულია Turkey მაღაზიიდან
შეუკვეთეთ ახლავე და მიიღეთ ხუთშაბათი, აგვისტო 20
Secured transaction
Ubuy works hard to protect your security and privacy. Our advanced payment security system ensures confidentiality by encrypting your information during transmission using AES (Advanced Encryption Standards) and SSL (Secure Socket Layer) protocols. Your payment details are 100% secure as we do not share your payment details with third party sellers.
Our Top Logistics Partners
Gallium Nitride (GaN): Physics, Devices, and Technology offers a balanced perspective on the state of the art in gallium nitride technology.
Fast
Shipping
Free
Return*
Secure Packaging
100% Original Products
PCI DSS Compliance
ISO 27001 Certified
Note: Step Down Voltage Transformer required for using electronics products of თურქეთი store (230 V). Recommended power converters იყიდე ახლა.
Პროდუქტის აღწერილობა
- Gallium nitride (GaN) is a binary III/V direct bandgap semiconductor commonly used in bright light-emitting diodes since the 1990s. Its sensitivity to ionizing radiation is low, making it a suitable material for solar cell arrays for satellites. T Daha fazla göster
| Publishers | crc press |
| Date of publication | July 26, 2017 |
| Prints | 1. |
| Language | English |
| Print Length | 388 pages |
| ISBN-10 | 1138893358 |
| ISBN-13 | 978-1138893351 |
| Dimensions | 15.6 x 2.24 x 23.39 cm |
პროდუქტის აღწერილობა
Gallium Nitride (GaN): Physics, Devices, and Technology
გაქვთ რაიმე შეკითხვა? მოგვმართეთ ჩათში
მომხმარებელთა შეკითხვები და პასუხები
-
კითხვა:
What are the advantages of GaN-based material systems?
პასუხი: GaN-based material systems have wide band gaps and high electron mobility, making them suitable for optoelectronic, high-power, and high-frequency devices. -
კითხვა:
What makes GaN an ideal candidate for switching power transistors?
პასუხი: GaN has high off-state breakdown strength and excellent on-state channel conductivity, making it ideal for switching power transistors. -
კითხვა:
What does the book highlight?
პასუხი: The book highlights the current and emerging applications of GaN in the semiconductor industry.
İngilizce Baskı Farid Medjdoub (Editör) Format: Kağıt Editorial Review
სარედაქციო მიმოხილვები ვერ მოიძებნა
Customer Reviews & Ratings
4 მომხმარებლის შეფასება
-
5 ვარსკვლავი
47%
-
4 ვარსკვლავი
27%
-
3 ვარსკვლავი
26%
-
2 ვარსკვლავი
0%
-
1 ვარსკვლავი
0%
ამ პროდუქტის მიმოხილვა
გაუზიარეთ თქვენი აზრები სხვა მომხმარებლებს
Platform Trust & Buyer Confidence
MT
Mohd
Verified buyer
“The product received very good packaging & safe…Thank You”
16 June 2026 · via Trustpilot
SJ
Shawati
Verified buyer
“Accurate delivery timing given”
16 June 2026 · via Trustpilot
YB
Youcef
Verified buyer
“Not madly expensive like I thought, and much quicker than promised.”
15 June 2026 · via Trustpilot
LM
Leila
Verified buyer
“Never dealt with Ubuy before, but everything worked out great. Seamless cross border purchasing and shipping. Thanks!”
6/7/2026 · via Trustpilot
KA
Kwame
Verified buyer
“The process was smooth, with clear communication and timelines. This was my 1st purchase and I am really impressed. I will definitely be coming back.”
12 June 2026 · via Trustpilot
უსაფრთხო კონტროლი
Global Delivery
Easy Returns
Genuine Products
Product Price History
მნიშვნელოვანი ინფორმაცია
- შეზღუდვები: გთხოვთ, გაითვალისწინოთ, რომ საზღვარგარეთ გაგზავნილი პროდუქტებისთვის მწარმოებლის გარანტია შეიძლება არ იყოს მოქმედი; მწარმოებლის მომსახურების პარამეტრები შეიძლება არ იყოს ხელმისაწვდომი; პროდუქტის ინსტრუქციები და უსაფრთხოების გაფრთხილებები შეიძლება არ იყოს დანიშნულების ქვეყნის ენაზე; პროდუქტები (და მასთან დაკავშირებული მასალები) შეიძლება არ იყოს შემუშავებული დანიშნულების ქვეყნის სტანდარტების, სპეციფიკაციებისა და მარკირების მოთხოვნების შესაბამისად; და პროდუქტები შეიძლება არ შეესაბამებოდეს დანიშნულების ქვეყნის ძაბვისა და სხვა ელექტრო სტანდარტებს (საჭიროების შემთხვევაში საჭიროა ადაპტერი ან გადამყვანი). მიმღები პასუხისმგებელია უზრუნველყოს, რომ პროდუქტი კანონიერად შემოიტანოს დანიშნულების ქვეყანაში. Ubuy-ს ან მისი აფილირებული პირების მეშვეობით შეკვეთისას მიმღები არის რეგისტრირებული იმპორტიორი და მან უნდა გაითვალისწინოს დანიშნულების ქვეყნის ყველა კანონი და დებულება.
- Ubuy-ზე ჩამოთვლილი ყველა პროდუქტი არ არის გაყიდვაში, რადგან Ubuy არის გლობალური საძიებო სისტემა და პროდუქტები ექვემდებარება საექსპორტო/სავაჭრო რეგულაციებს.
GEL 497
შეუკვეთეთ ახლავე და მიიღეთ ხუთშაბათი, აგვისტო 20
This item is not restrict in my country.(Please click on above link if this item is not restrict in your country, So our team will review and allow.)
QTY:
Secured transaction
PCI DSS compliant and ISO 27001:2022 certified, with encrypted payments and full buyer protection on every order.
Our Top Logistics Partners
Fastest cross-border delivery
მახასიათებლები და უპირატესობები
- GaN is a great alternative to existing microelectronic devices
- GaN has special properties for optoelectronic, high-power, and high-frequency devices
- GaN is an ideal candidate for switching power transistors
- The book explores recent progress in high-frequency GaN technology
- The book reviews the advantages of GaN-based material systems
- The book highlights the current and emerging applications of GaN
Ubuy Assurance
Experience worry-free shopping with 100% original products, PCI DSS-compliant payment security, ISO 27001-certified data protection, the fastest cross-border delivery, free returns *, and secure packaging on every order.